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10 juin 2014

Samsung et STMicroelectronics signent un accord stratégique

STMicroelectronics et Samsung Electronics, un leader mondial dans le domaine des semiconducteurs avancés, ont signé un accord global portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d’une collaboration de production multi-sources. Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations de pointe en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l’ensemble de l’industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST. Cet accord porte à la fois sur la technologie de fabrication, qui a déjà démontré ses avantages en termes de rapport rapidité/consommation d’énergie et de simplicité, et sur l’écosystème de conception développés par ST. Il complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles, permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en FD-SOI 28 nm, technologie qui sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015. Cette annonce réjouit également Soitec qui voit ainsi validé son choix technologique stratégique d’avoir très tôt décidé de développer un substrat spécifiquement dédié à la production de puces FD-SOI. Ce contrat représente également un tournant dans le déploiement industriel de la technologie FD-SOI et une étape majeure pour l’activité électronique de Soitec à venir sur les dix prochaines années.

Contact : Nelly Dimey, tél : 01 58 07 77 85 (Paris), nelly.dimey@st.com

 

 


 

Lettre de l'Economie a grenoble et en Isère